超低介电常数、低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法

张秋禹 · 2016

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专利权人：

西北工业大学

申请人：

西北工业大学

通讯地址：

710072陕西省西安市友谊西路127号

专利类型：

发明专利

专利号：

201511024047.2

公开日期：

2016.05.25

摘要：

本发明涉及超低介电常数、低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法，一种首先采用水解共缩合法与多步提纯得到HBPSi，最终以化学键的形式将HBPSi结构引入PI分子主链，实现了在分子水平上对PI材料的改性，显著降低了PI材料的介电常数，并较好的保持了PI材料固有的优点。该PI薄膜介电性能优异，耐热性优良，力学强度突出，吸水率低，表面平整度高，制备过程反应条件温和，研发成本较低，有利于大规模工业化生产。与目前普遍使用的Kapton标准膜相比，在同等测试条件下HBPSi-PI薄膜的介电常数降低了30％～40％，最低介电常数甚至接近2.0，达到超低介电常数的水平，能够满足未来微电子行业发展的迫切需求。